Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 12.3 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiSS92DN-T1-GE3, SiSS92DN系列

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188-4960P
制造商零件编号:
SiSS92DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

12.3A

最大漏源电压 Vd

250V

系列

SiSS92DN

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

190mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.4nC

最大功耗 Pd

65.8W

最高工作温度

150°C

长度

3.3mm

高度

0.78mm

标准/认证

No

宽度

3.3 mm

Distrelec Product Id

304-32-538

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
N 通道 250V (D-S) MOSFET 。

采用 ThunderFET 技术的 Trenchenchfet ® 优化了 RDS (on) , QG , QSW 和 QOSS 的平衡

领导能力 RDS(on) 和 RDS-COSS FOM