Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 30 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SIHA100N60E-GE3, E系列

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188-4970
制造商零件编号:
SIHA100N60E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-220

系列

E

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.1Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

33nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

35W

最高工作温度

150°C

高度

15.3mm

宽度

4.7 mm

长度

10.3mm

标准/认证

No

汽车标准

E 系列功率 MOSFET 。

第四代 E 系列技术

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容( CO ( ER ))

应用

服务器和电信电源

开关模式电源 (SMPS)

功率因数校正电源 (PFC)