Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=12 A, 3针, TO-220, E系列

RS 库存编号:: 188-4970P
制造商零件编号:: SIHA100N60E-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, Id=12 A, 3针, TO-220, E系列

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RS 库存编号:: 188-4970P
制造商零件编号:: SIHA100N60E-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	12A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	E
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.1Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	33nC
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	35W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	4.7mm
	高度	15.3mm
	长度	10.3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 12A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 E
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.1Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 35W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 4.7mm
	高度 15.3mm
	长度 10.3mm
	汽车标准否

Datasheet SIHA100N60E-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay E 系列功率 MOSFET,600 V 最大漏源电压,12 A 最大连续漏电流 - SIHA100N60E-GE3

该功率MOSFET是一款高压N‑沟道增强型器件，专为通孔‑组装中的开关和电源转换应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛环境；它专为需要高‑漏极‑电流及高漏源耐压能力的应用而设计，并采用 TO‑220 封装，便于常规安装。

特性和优点：

• 600V漏极容量，适用于高压开关应用
• 12A 连续漏极电流支持大负载电流
• 0.1Ω导通电阻，可减少电源电路中的传导损耗
• 35W耗散能力，能够在自然冷却条件下持续处理功率
• 33nC典型栅极电荷，可实现可控的栅极驱动能量
• 30V最大栅极驱动，确保强大的栅极过驱裕量

应用

• 适用于市电‑连接型开关‑电源
• 适用于高压电机变频器级应用
• 与分立式升压转换器拓扑配合使用
• 可用于工业电池充电系统
• 适用于功率因数校正前端

连续使用的耐热极限是多少？

该器件可在-55°C至150°C温度范围内运行，通过适当的热管理，能够部署在低温和高温环境中。

它采用哪种封装和安装方式？

它以TO‑220封装提供，适用于通孔‑安装，便于电子散热器安装和可靠的机械固定。

必须注意哪些栅极驱动限制？

栅极‑到源极‑电压不得超过30V，因此应选择栅极驱动器，以在开关瞬态期间将Vgs保持在此限值内。

正向电压对电路设计有何影响？

设计人员在串联或同步配置中计算导通损耗和热负载时，应考虑到该器件1.2V的正向压降。