Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SIHA22N60EF-GE3, EF系列
- RS 库存编号:
- 188-4973
- 制造商零件编号:
- SIHA22N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥131.88
(不含税)
¥149.025
(含税)
有库存
- 另外 1,005 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB26.376 | RMB131.88 |
| 15 - 20 | RMB25.584 | RMB127.92 |
| 25 + | RMB24.816 | RMB124.08 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-4973
- 制造商零件编号:
- SIHA22N60EF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 19A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | EF | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.182Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.3mm | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 15.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 19A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 EF | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.182Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.3mm | ||
宽度 4.7 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 15.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
具有快速主体二极管的 EF 系列功率 MOSFET 。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低输入电容 (Ciss)
减少切换和传导损耗
应用
服务器和电信电源
开关模式电源 (SMPS)
功率因数校正电源 (PFC)