Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 2.9 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SIHD2N80AE-GE3, E系列

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RS 库存编号:
188-4982
Distrelec 货号:
304-38-847
制造商零件编号:
SIHD2N80AE-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

2.9A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-252

系列

E

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.9Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7nC

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

62.5W

最高工作温度

150°C

长度

6.73mm

标准/认证

RoHS

高度

2.25mm

宽度

6.22mm

汽车标准

否

Vishay E 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,2.9 A 最大连续漏电流 - SIHD2N80AE-GE3


这款功率 MOSFET 是高电压开关晶体管,适用于需要稳健电压处理和耐热性的工业和电子系统。它作为增强模式 N 通道设备运行,专为表面安装安装而设计,适用于自动化和电气设备中的电源转换和控制任务。

特性和优点：


• 800V 额定值可在紧凑型设计中实现高电压开关 • 2.9A 连续漏电流支持中等负载电流 • 7nC 典型栅极电荷,可实现高效的栅极驱动能量管理 • 2.9Ω Rds(on)限制了轻至中等负载下的传导损耗 • 62.5W 功耗可实现持久的热负载 • -55°C 至 150°C 工作温度范围,适用于高温应用

应用


• 适用于工业转换器中的高压导轨开关 • 特别适用于中等电流电机驱动器的功率级应用 • 用于电源和逆变器的线路侧开关 • 可用于交流系统中的瞬态抑制和缓冲电路

控制电路应遵守哪种栅极电压范围?


该设备可耐受高达 30 V 的栅极-源电压,因此应指定栅极驱动器保持在此最大值内,以防止栅极退化。

安装对热性能有何影响?


作为表面安装 TO-252 封装,热传输依靠良好的 PCB 铜面积和热通道来耗散设备的额定功率

铜不足会提升接点温度。

提供哪些封装引脚数和配置?


该组件采用三针 TO-252 配置,适用于标准表面贴装工艺。

在设计中,如何考虑正向传导行为?


报告的正向电压为1.2V

当主体二极管在反向恢复或同步整流事件中导电时,将这一点包括在损耗计算中。