Vishay N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, Id=2.9 A, 3针, TO-252, E系列

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包装方式：
RS 库存编号:
188-4982P
制造商零件编号:
SIHD2N80AE-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

2.9A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

E

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.9Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

62.5W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

6.73mm

高度

2.25mm

宽度

6.22mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Vishay E系列功率MOSFET，最大漏源电压800V，最大功耗62.5W - SIHD2N80AE-GE3


这款功率MOSFET是一款高压开关器件，专为工业和电源转换领域的应用而设计。它作为增强型N沟道晶体管工作，适用于需要稳健电压处理和受控开关特性的表面贴装电路设计。该器件采用TO-252封装，符合RoHS环保标准。

特性和优点：


• 800V漏源极能力，支持高压开关
• 2.9Ω导通电阻，支持中等传导损耗
• 62.5W功耗，可实现更高的热负载
• 7nC典型栅极电荷提供可预测的开关能量
• 30V栅极额定值提供宽裕的栅极驱动裕量
• 2.9A连续漏极电流，适用于稳态负载

应用


• 适用于高压电源转换器和反相器
• 适用于工业开关电源及辅助电源轨
• 用于需要适度电荷预算的栅极驱动器
• 可用于非汽车高压负载开关

它在运行时能够耐受的环境温度范围是多少？


它的额定工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。

该封装方式对PCB安装和热传导路径有何影响？


TO-252表面贴装封装可实现紧凑的电路板布局，并提供通往 PCB 铜层的直接热传导路径以实现散热。

在开关性能方面，应注意哪些栅极驱动因素？


驱动电压应保持在±30V范围内，其规格应设计为能够以约7nC电荷对栅极进行充电，从而实现特性化的开关行为，同时避免驱动电流过大。

这款产品是否适用于汽车系统？


由于未指定为汽车级，因此在需要汽车特定认证的情况下不得予以选用。

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