Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, 17.4 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG21N80AE-GE3, E系列

RS 库存编号:: 188-4989
Distrelec 货号:: 304-38-848
制造商零件编号:: SIHG21N80AE-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=800 V, 17.4 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG21N80AE-GE3, E系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	17.4A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-247AC
	系列	E
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	235mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	48nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最大功耗 Pd	179W
	最高工作温度	150°C
	宽度	5.31mm
	高度	20.82mm
	长度	15.87mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 17.4A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-247AC
	系列 E
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 235mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最大功耗 Pd 179W
	最高工作温度 150°C
	宽度 5.31mm
	高度 20.82mm
	长度 15.87mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet SIHG21N80AE-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,17.4 A 漏电流 - SIHG21N80AE-GE3

此功率 MOSFET 是高电压 N 通道晶体管,设计用于工业环境中的开关和功率转换任务。它可在宽温度范围内工作,支持大量连续电流,并采用通孔 TO-247AC 封装,适用于需要稳固安装和简单热接口的应用。

特性和优点：

• 800V 阻断能力,支持高压系统设计 • 17.4 A 连续漏电流,可处理大量负载 • 235 mΩ Rds(on),可减少负载下的传导损耗 • 48 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关性能 • 179W 功耗容量,适用于要求严苛的功率级别 • 额定温度高达 150 °C,适用于高温运行

应用

• 适用于工业电机驱动变频器级别 • 适用于高电压电源和转换器 • 用于可再生能源逆变器和 PV 优化器设计 • 可用于牵引力和通用电力电子设备 • 适用于硬开关和软开关半导体级

热管理适用哪些安装因素?

通孔 TO-247AC 格式可直接用螺栓连接到散热器,并有效使用绝缘垫或热化合物将耗散功率传输到外部冷却。

栅极-源电压额定值对栅极驱动设计有何影响?

具有 30 V 的最大栅极源容差,应选择栅极驱动器在此窗口内工作,并提供足够的驱动,以在不超过电压限制的情况下实现指定的栅极电荷。

它在运行过程中能承受哪些极端环境?

该设备的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,可用于环境和接点温度范围较宽的设备。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=800 V, 17.4 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG21N80AE-GE3, E系列

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