Vishay , 2 N型沟道 共漏极 增强型 功率 MOSFET, Vds=25 V, 60 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET Gen IV系列, SISF02DN-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 188-4999
- 制造商零件编号:
- SISF02DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 188-4999
- 制造商零件编号:
- SISF02DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | TrenchFET Gen IV | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 69.4W | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 TrenchFET Gen IV | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
最低工作温度 150°C | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 69.4W | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
最高工作温度 -55°C | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
通用漏极双 N 通道 25V (S1-S2) MOSFET 。
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
电阻极低的源到源
采用紧凑且热增强型封装的集成共漏极 N 通道 MOSFET