Vishay N沟道增强型功率MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=25 V, Id=60 A, 8针, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV系列

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RS 库存编号:
188-4999
制造商零件编号:
SISF02DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

25V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

TrenchFET Gen IV

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

69.4W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-12V, +16V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

37nC

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

共漏极

宽度

3.4mm

高度

0.75mm

标准/认证

No

长度

3.4mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

通用漏极双 N 通道 25V (S1-S2) MOSFET 。

TrenchFET® 第四代功率 MOSFET

电阻极低的源到源

采用紧凑且热增强型封装的集成共漏极 N 通道 MOSFET

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