Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 108 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiSS05DN系列

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包装方式:
RS 库存编号:
188-5013P
制造商零件编号:
SiSS05DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

108A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SiSS05DN

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.8mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

76nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

65.7W

最大栅源电压 Vgs

16 V

最高工作温度

150°C

高度

0.78mm

长度

3.3mm

标准/认证

No

宽度

3.3 mm

Distrelec Product Id

304-38-851

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
P 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET ® Gen IV P 通道功率 MOSFET

在散热增强型紧凑封装中提供超低 RDS (on)

支持更高的功率密度