Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 3针, TO-263, SQM50034E系列
- RS 库存编号:
- 188-5022P
- 制造商零件编号:
- SQM50034E_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 188-5022P
- 制造商零件编号:
- SQM50034E_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | SQM50034E | |
| 安装类型 | PCB | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0039Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 SQM50034E | ||
安装类型 PCB | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0039Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.57mm | ||
宽度 9.65mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
长度 10.41mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
汽车 N 通道 60V (D-S) 175 ° C MOSFET 。
TrenchFET® 功率 MOSFET
具有低热阻的封装