Vishay , 2 N型沟道 共漏极 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 52 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET Gen IV系列
- RS 库存编号:
- 188-5025P
- 制造商零件编号:
- SiSF20DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥11,500.50
(不含税)
¥12,995.25
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1495 | RMB15.334 |
| 1500 + | RMB14.878 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-5025P
- 制造商零件编号:
- SiSF20DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 52A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET Gen IV | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最大功耗 Pd | 69.4W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 52A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET Gen IV | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最低工作温度 150°C | ||
最大功耗 Pd 69.4W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
宽度 3.4 mm | ||
高度 0.75mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
共漏极双 N 通道 60V (S1-S2) MOSFET 。
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
电阻极低的源到源
采用紧凑且热增强型封装的集成共漏极 N 通道 MOSFET