Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 850 mA, US, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SQ1922AEEH-T1_GE3
- RS 库存编号:
- 188-5029
- 制造商零件编号:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-5029
- 制造商零件编号:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 850mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 530mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 850mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 530mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 1.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.9nC | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.35 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 2.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
汽车双 N 通道 20V (D-S) 175 ° C MOSFET 。
TrenchFET® 功率 MOSFET