Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 850 mA, SOT-363, 贴片安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 188-5029P
- 制造商零件编号:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-5029P
- 制造商零件编号:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 850 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 530 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.9 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 850 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 530 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1.5V | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
最大栅源电压 ±12 V | ||
长度 2.2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.9 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 1.35mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
汽车双 N 通道 20V (D-S) 175 ° C MOSFET 。
TrenchFET® 功率 MOSFET