Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 55.5 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SISS30LDN-T1-GE3, SiSS30LDN系列
- RS 库存编号:
- 188-5051
- 制造商零件编号:
- SISS30LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | RMB8.042 | RMB80.42 |
| 750 - 1490 | RMB7.801 | RMB78.01 |
| 1500 + | RMB7.568 | RMB75.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-5051
- 制造商零件编号:
- SISS30LDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 系列 | SiSS30LDN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32.5nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 57W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.78mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55.5A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
系列 SiSS30LDN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 12mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32.5nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 57W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.78mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 80V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
RDSX QG 极低功耗 (FOM)
针对最低的 RDS X QOSS FOM 进行了调整