Vishay P型, N型沟道增强型MOSFET, 3个元件/芯片, Vds=200 V, Id=30 A, 10针, 三死, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 188-5065
制造商零件编号:: SQUN702E-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型, N型沟道增强型MOSFET, 3个元件/芯片, Vds=200 V, Id=30 A, 10针, 三死, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 188-5065
制造商零件编号:: SQUN702E-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	P型, N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	30A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	TrenchFET
	包装类型	三死
	安装类型	表面
	引脚数目	10
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	23nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	60W
	正向电压 Vf	0.79V
	最低工作温度	-55°C
	晶体管配置	共漏极
	最高工作温度	+175°C
	标准/认证	No
	每片芯片元件数目	3
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 P型, N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 30A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 TrenchFET
	包装类型三死
	安装类型表面
	引脚数目 10
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 60W
	正向电压 Vf 0.79V
	最低工作温度 -55°C
	晶体管配置共漏极
	最高工作温度 +175°C
	标准/认证 No
	每片芯片元件数目 3
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet SQUN702E-T1_GE3

Vishay TrenchFET 系列 MOSFET，200V 漏源电压，30A 连续漏极电流 - SQUN702E-T1_GE3

该 MOSFET 是一种表面贴装晶体管设备，专为严苛环境下的功率切换而设计。它在共漏极配置中采用三芯片拓扑结构，以处理高电压和高电流，同时支持 P 沟道和 N 沟道增强模式，实现灵活的电路集成。

特性和优点：

• 200V漏极额定值可实现高压开关能力
• 30A的连续漏极电流支持重载处理
• 60W 功耗允许持续的功率输送
• 20V 栅极耐压允许稳健的栅极驱动裕量
• 23nC 的典型栅极电荷产生可预测的切换能量
• +175°C 的最大工作温度适合高温应用场景

应用

• 适用于汽车配电模块
• 用于高压 DC-DC 转换级
• 适用于电机驱动器半桥组件
• 可用于紧凑型表面贴装电源
• 配合同步整流电路使用以提高效率

PCB 布局采用何种引脚配置？

该设备采用共漏极布置的 10 引脚封装，允许对源极和栅极连接进行特定布线，同时在三芯片结构中保持漏极公共。

本征二极管在导通期间的性能如何？

该体二极管表现出 0.79V 的正向电压，影响反向恢复期间的导通损耗和热负荷。

同一个组件上是否同时提供两种沟道极性？

该设备包含作为增强型晶体管实现的 P 沟道和 N 沟道元件，以适应互补切换拓扑。

它在运行过程中能够耐受的环境温度范围是多少？

其指定工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，允许在恶劣条件的宽温度范围内使用。