Vishay , 3 P型, N型沟道 共漏极 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 30 A, 三死, 表面安装, 10引脚, TrenchFET系列, SQUN702E-T1_GE3
- RS 库存编号:
- 188-5065
- 制造商零件编号:
- SQUN702E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 188-5065
- 制造商零件编号:
- SQUN702E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | 三死 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 正向电压 Vf | 0.79V | |
| 最低工作温度 | 175°C | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 3 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 三死 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
正向电压 Vf 0.79V | ||
最低工作温度 175°C | ||
最高工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 3 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
汽车 40V N 和 P 通道共排 MOSFET 对和 200V N 通道 MOSFET 。
优化的三芯片封装
TrenchFET® 功率 MOSFET