Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SQD40020EL_GE3, TrenchFET系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥79.23

(不含税)

¥89.53

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 3,440 个,准备发货
单位
每单位
每包*
10 - 490RMB7.923RMB79.23
500 - 990RMB7.686RMB76.86
1000 +RMB7.454RMB74.54

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
188-5068
制造商零件编号:
SQD40020EL_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.0022Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

107W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

165nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

175°C

高度

4.57mm

宽度

9.65 mm

长度

10.41mm

标准/认证

AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

汽车 N 通道 40V (D-S) 175 ° C MOSFET 。

TrenchFET® 功率 MOSFET

具有低热阻的封装