Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=70 A, 8针, SO-8, SiRA84BDP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
188-5078
制造商零件编号:
SiRA84BDP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

70A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SO-8

系列

SiRA84BDP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

7.1mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20.7nC

最大功耗 Pd

36W

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

长度

5.99mm

高度

1.07mm

标准/认证

No

宽度

5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
MY
N 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET® 第四代功率 MOSFET

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