Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 181.8 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SISS60DN-T1-GE3, SiSS60DN系列

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188-5094
制造商零件编号:
SISS60DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

181.8A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SiSS60DN

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.01mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

16 V

正向电压 Vf

0.68V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

57nC

最大功耗 Pd

65.8W

最高工作温度

150°C

宽度

3.3 mm

高度

0.78mm

标准/认证

No

长度

3.3mm

汽车标准

Distrelec Product Id

304-32-536

具有肖特基二极管的 N 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET® 第四代功率 MOSFET

具有单片肖特基二极管的 SkyFET ®

优化的 RDS x QG 和 RDS x QGD FOM 可提高高频切换的效率