Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 195 A, PowerPAK SO-8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 188-5097
- 制造商零件编号:
- SIRA99DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥117.22
(不含税)
¥132.46
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 1,560 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | RMB23.444 | RMB117.22 |
| 750 - 1495 | RMB22.738 | RMB113.69 |
| 1500 + | RMB22.058 | RMB110.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-5097
- 制造商零件编号:
- SIRA99DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 195 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.6 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 104 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V ， +16 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 长度 | 5.99mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 172.5 nC @10 V | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 195 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 2.6 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 104 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V ， +16 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5mm | ||
长度 5.99mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 172.5 nC @10 V | ||
高度 1.07mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
P 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET ® Gen IV P 通道功率 MOSFET
极低的 RDS (on) 可最大限度地降低电压降并减少传导损耗
无需充电泵
极低的 RDS (on) 可最大限度地降低电压降并减少传导损耗
无需充电泵