Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 195 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SiRA99DP系列
- RS 库存编号:
- 188-5097P
- 制造商零件编号:
- SIRA99DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-5097P
- 制造商零件编号:
- SIRA99DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 195A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | SiRA99DP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 172.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 长度 | 5.99mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 195A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 SiRA99DP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 172.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.07mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5 mm | ||
长度 5.99mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET ® Gen IV P 通道功率 MOSFET
极低的 RDS (on) 可最大限度地降低电压降并减少传导损耗
无需充电泵