Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 60 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SQJ208EP-T1_GE3

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RS 库存编号:
188-5101
制造商零件编号:
SQJ208EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

16mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.77V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最大功耗 Pd

48W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

晶体管配置

标准/认证

No

长度

5mm

高度

1.01mm

宽度

4.47 mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

汽车双 N 通道 40V (D-S) 175 ° C MOSFET 。

TrenchFET® 功率 MOSFET