Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 150 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SUM60020E-GE3, SUM60020E系列

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188-5107
Distrelec 货号:
304-38-856
制造商零件编号:
SUM60020E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

150A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

SUM60020E

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.4mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

151.2nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

375W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

10.41mm

高度

4.57mm

汽车标准

N 通道 80V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET® 功率 MOSFET

最高 175 ° C 接点温度

非常低的 QGD 可减少通过 VPlateau 时的功耗损失