Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 111.9 A, PowerPAK 1212-8S, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 188-5117P
- 制造商零件编号:
- SiSS61DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 188-5117P
- 制造商零件编号:
- SiSS61DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 111.9 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 9.8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大功率耗散 | 65.8 瓦 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 154nc @ 10v | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.78mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 111.9 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 9.8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大功率耗散 65.8 瓦 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±8 V | ||
宽度 3.3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 154nc @ 10v | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.78mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P 通道 20V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET® Gen III P 通道功率 MOSFET
领先 RDS(on) ，采用紧凑且热增强的封装
领先 RDS(on) ，采用紧凑且热增强的封装