Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=40 A, 8针, PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN系列

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RS 库存编号:
188-5123
制造商零件编号:
SISHA04DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK 1212-8SH

系列

SiSHA04DN

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00215Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22.5nC

最大功耗 Pd

52W

正向电压 Vf

1.1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

高度

0.93mm

宽度

3.3mm

标准/认证

No

长度

3.3mm

汽车标准

否

N 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET ® Gen IV 功率 MOSFET

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