Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 150 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SUP60020E系列
- RS 库存编号:
- 188-5143P
- 制造商零件编号:
- SUP60020E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-5143P
- 制造商零件编号:
- SUP60020E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 150 A | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | SUP60020E | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.8mΩ | |
| 最大漏源电阻值 | 2.8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 151.2nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 宽度 | 4.65mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.51mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 151.2 nc @ 10v | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 150 A | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 SUP60020E | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.8mΩ | ||
最大漏源电阻值 2.8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 375 W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 151.2nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
高度 9.01mm | ||
宽度 4.65mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.51mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 151.2 nc @ 10v | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 80V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET® 功率 MOSFET
最高 175 ° C 接点温度
非常低的 QGD 可减少通过 VPlateau 时的功耗损失