STMicroelectronics N型沟道 增强型 MDmesh 功率 MOSFET, Vds=800 V, 11 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, STB11NM80系列
- RS 库存编号:
- 188-8280
- 制造商零件编号:
- STB11NM80T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 188-8280
- 制造商零件编号:
- STB11NM80T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MDmesh 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | STB11NM80 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 正向电压 Vf | 0.86V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.37mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.35 mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MDmesh 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 STB11NM80 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43.6nC | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
正向电压 Vf 0.86V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.37mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.35 mm | ||
长度 10.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用意法半导体革命性的 MDmesh™ 技术开发而成，该技术将多漏极工艺与公司的 PowerMESH™ 水平布局相结合。这些器件具有极低的导通电阻、高 dv/dt 和出色的雪崩特性。利用意法半导体专有的带状技术，这些功率 MOSFET 的整体动态性能优于市场上的同类产品。
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻
业内最佳 RDS(on)Qg
应用
开关应用