制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=12 A, 3针, TO-263, STP12NM50系列

RS 库存编号:: 188-8281
制造商零件编号:: STB12NM50T4
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=12 A, 3针, TO-263, STP12NM50系列

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RS 库存编号:: 188-8281
制造商零件编号:: STB12NM50T4
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	12A
	最大漏源电压 Vd	500V
	系列	STP12NM50
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	350mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	160W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.5V
	最低工作温度	-65°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	28nC
	最高工作温度	150°C
	长度	10.4mm
	宽度	9.35mm
	高度	4.37mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 12A
	最大漏源电压 Vd 500V
	系列 STP12NM50
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 350mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 160W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.5V
	最低工作温度 -65°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC
	最高工作温度 150°C
	长度 10.4mm
	宽度 9.35mm
	高度 4.37mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet STB12NM50T4

MDmesh™ 是一种全新的革命性 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与公司的 PowerMESH™ 水平布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高 dv/dt 和卓越的雪崩特性。采用公司专有的带钢技术，可实现整体动态性能。

高 dv/dt 和雪崩功能

低输入电容和栅极电荷

严格的工艺控制和高生产率

低栅极输入电阻

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