STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, 7A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 188-8283
- 制造商零件编号:
- STB43N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥60,097.00
(不含税)
¥67,910.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月06日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | RMB60.097 | RMB60,097.00 |
| 5000 + | RMB58.895 | RMB58,895.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-8283
- 制造商零件编号:
- STB43N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7A | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 630 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 70 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.6V | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 4.37mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7A | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 630 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 70 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±25 V | ||
长度 10.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
正向二极管电压 1.6V | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 4.37mm | ||
该器件是一款 N 沟道功率 MOSFET，基于 MDmesh™ M5 创新垂直工艺技术，并结合了著名的 PowerMESH™ 水平布局。由此产生的产品具有极低的导通电阻，特别适合需要高功率和高效率的应用。
极低的 RDS（开）
低栅极电荷和输入电容
出色的开关性能
应用
开关应用
低栅极电荷和输入电容
出色的开关性能
应用
开关应用