STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 5 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 188-8290
- 制造商零件编号:
- STD5NM60T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥15,117.50
(不含税)
¥17,082.50
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB6.047 | RMB15,117.50 |
| 12500 + | RMB5.926 | RMB14,815.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-8290
- 制造商零件编号:
- STD5NM60T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 6.2mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 宽度 | 2.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 6.2mm | ||
长度 6.6mm | ||
宽度 2.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与公司的 PowerMESH™ 水平布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高 dv/dt 和卓越的雪崩特性。通过采用公司专有的带材技术，整体性能充满活力。
低输入电容和栅极电荷
高 dv/dt 和雪崩能力
低栅极输入电阻
应用
开关应用