STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 4 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, STD5N80K5
- RS 库存编号:
- 188-8440
- 制造商零件编号:
- STD5N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 188-8440
- 制造商零件编号:
- STD5N80K5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.73Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 高度 | 2.17mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.73Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.2 mm | ||
高度 2.17mm | ||
长度 6.6mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计而成。结果显著降低了接通电阻和超低栅极电荷,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。
业内最低的 RDS(on) x 面积
业内最佳 FoM（优点数字）
超低栅极电荷
齐纳保护
应用
开关应用