STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=12 A, 3针, TO-263, STP12NM50系列
- RS 库存编号:
- 188-8473P
- 制造商零件编号:
- STB12NM50T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- RS 库存编号:
- 188-8473P
- 制造商零件编号:
- STB12NM50T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 系列 | STP12NM50 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 350mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大功耗 Pd | 160W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 4.37mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
系列 STP12NM50 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 350mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大功耗 Pd 160W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.35mm | ||
长度 10.4mm | ||
高度 4.37mm | ||
汽车标准 否 | ||
MDmesh™ 是一种全新的革命性 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与公司的 PowerMESH™ 水平布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高 dv/dt 和卓越的雪崩特性。采用公司专有的带钢技术，可实现整体动态性能。
高 dv/dt 和雪崩功能
低输入电容和栅极电荷
严格的工艺控制和高生产率
低栅极输入电阻
应用
开关应用