STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, 12A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 188-8473P
- 制造商零件编号:
- STB12NM50T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- STB12NM50T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12A | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 350 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 160 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 高度 | 4.37mm | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12A | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 350 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 160 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 9.35mm | ||
长度 10.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
高度 4.37mm | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
MDmesh™ 是一种全新的革命性 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与公司的 PowerMESH™ 水平布局相结合。由此产生的产品具有出色的低导通电阻、令人印象深刻的高 dv/dt 和卓越的雪崩特性。采用公司专有的带钢技术，可实现整体动态性能。
高 dv/dt 和雪崩功能
低输入电容和栅极电荷
严格的工艺控制和高生产率
低栅极输入电阻
应用
开关应用
低输入电容和栅极电荷
严格的工艺控制和高生产率
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应用
开关应用