STMicroelectronics 增强型MOS管, TO-220, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 188-8476
- 制造商零件编号:
- STGP8NC60KD
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥67.87
(不含税)
¥76.69
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月06日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB6.787 | RMB67.87 |
| 20 - 20 | RMB6.584 | RMB65.84 |
| 30 + | RMB6.452 | RMB64.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-8476
- 制造商零件编号:
- STGP8NC60KD
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 6.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最大功率耗散 | 65W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 正向二极管电压 | 2.1V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 6.5V | ||
最小栅阈值电压 4.5V | ||
最大功率耗散 65W | ||
晶体管配置 单 | ||
宽度 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V | ||
长度 10.4mm | ||
高度 15.75mm | ||
正向二极管电压 2.1V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
这款 IGBT 采用先进的 PowerMESH™ 工艺，在开关性能和低导通特性之间实现了出色的权衡。
更低的导通压降 (VCE(sat))
超软超快恢复反并联二极管
较低的 CRES / CIES 比率（无交叉传导易感性）
短路耐受时间 10μs
应用
高频电机控制器
硬开关和谐振拓扑结构中的 SMPS 和 PFC
电机驱动器
超软超快恢复反并联二极管
较低的 CRES / CIES 比率（无交叉传导易感性）
短路耐受时间 10μs
应用
高频电机控制器
硬开关和谐振拓扑结构中的 SMPS 和 PFC
电机驱动器