STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 7 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, STB43N65M5
- RS 库存编号:
- 188-8512
- 制造商零件编号:
- STB43N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 2 件）*
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 + | RMB66.855 | RMB133.71 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-8512
- 制造商零件编号:
- STB43N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 630mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 70W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.35 mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 4.37mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 630mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 70W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.35 mm | ||
长度 10.4mm | ||
高度 4.37mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
该器件是一款 N 沟道功率 MOSFET，基于 MDmesh™ M5 创新垂直工艺技术，并结合了著名的 PowerMESH™ 水平布局。由此产生的产品具有极低的导通电阻，特别适合需要高功率和高效率的应用。
极低的 RDS（开）
低栅极电荷和输入电容
出色的开关性能
应用
开关应用