STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 7.5 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 188-8543
- 制造商零件编号:
- STS7NF60L
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-8543
- 制造商零件编号:
- STS7NF60L
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 21 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.5 V 时，25 常闭 | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.5 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SO-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 21 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±16 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.5 V 时，25 常闭 | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4mm | ||
高度 1.65mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
这款功率 MOSFET 是意法半导体独特的 "Single Feature Size™"条状工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的堆积密度（低导通电阻）、坚固的雪崩特性和较少的关键对准步骤，因此具有显著的制造可重复性。
典型 RDS(on) = 0.017 Ω
低阈值驱动
标准外形，便于自动表面贴装
应用
直流电机驱动器
直流-直流转换器
非机动设备电池管理
便携式/台式计算机电源管理器
低阈值驱动
标准外形，便于自动表面贴装
应用
直流电机驱动器
直流-直流转换器
非机动设备电池管理
便携式/台式计算机电源管理器