STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7.5 A, SO-8, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 188-8543P
- 制造商零件编号:
- STS7NF60L
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 188-8543P
- 制造商零件编号:
- STS7NF60L
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 21mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 25nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7.5A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 21mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.65mm | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
这款功率 MOSFET 是意法半导体独特的 "Single Feature Size™"条状工艺的最新发展成果。由此产生的晶体管具有极高的堆积密度（低导通电阻）、坚固的雪崩特性和较少的关键对准步骤，因此具有显著的制造可重复性。
典型 RDS(on) = 0.017 Ω
低阈值驱动
标准外形，便于自动表面贴装
应用
直流电机驱动器
直流-直流转换器
非机动设备电池管理
便携式/台式计算机电源管理器