onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 20 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTHL系列
- RS 库存编号:
- 189-0256
- 制造商零件编号:
- NTHL190N65S3HF
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB27.172 | RMB815.16 |
| 60 - 90 | RMB26.358 | RMB790.74 |
| 120 + | RMB25.83 | RMB774.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 189-0256
- 制造商零件编号:
- NTHL190N65S3HF
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | NTHL | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 162W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 宽度 | 4.82 mm | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 NTHL | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 190mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 162W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 15.87mm | ||
宽度 4.82 mm | ||
高度 20.82mm | ||
汽车标准 否 | ||
超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高电压超级结点 (SJ) MOSFET这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能，可消除额外元件，提高系统可靠性。
TJ = 150 °C 时为 700 V
超低栅极电荷（典型 Qg = 35 nC）
低有效输出电容（典型 COSS (EFF.)=467 pF ）
极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）
优化的电容
典型值 RDS (on) =161M Ω
优点
低温运行时系统可靠性更高
低切换损耗
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用
电信
云系统
工业
最终产品
电信电源
服务器电源
EV 充电器
太阳能/UPS