制造商编号

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=376 A, 8针, PQFN, NTMTS001N06C系列

RS 库存编号:: 189-0261
制造商零件编号:: NTMTS001N06CTXG
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=376 A, 8针, PQFN, NTMTS001N06C系列

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RS 库存编号:: 189-0261
制造商零件编号:: NTMTS001N06CTXG
制造商:: onsemi

产品技术参数

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法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	376A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	NTMTS001N06C
	包装类型	PQFN
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	910μΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	113nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	244W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	高度	1.15mm
	标准/认证	No
	长度	8.1mm
	宽度	8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 376A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 NTMTS001N06C
	包装类型 PQFN
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 910μΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 113nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 244W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	高度 1.15mm
	标准/认证 No
	长度 8.1mm
	宽度 8mm
	汽车标准否

Datasheet NTMTS001N06CTXG

紧凑型设计占用空间小（ 8x8 mm ）

低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗

低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗

这些设备无铅、无卤素/无 BFR

典型应用

电动工具、电池供电真空

UAV/ 无人机、物料搬运

BMS / 存储、家庭自动化

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