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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	20 A
	最大漏源电压	650 V
	封装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	190 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	5V
	最小栅阈值电压	3V
	最大功率耗散	36 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	±30 V
	典型栅极电荷@Vgs	34 nC @ 10 V
	每片芯片元件数目	1
	宽度	4.9mm
	最高工作温度	+150 °C
	长度	10.63mm
	正向二极管电压	1.3V
	高度	16.12mm
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 20 A
	最大漏源电压 650 V
	封装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 190 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 5V
	最小栅阈值电压 3V
	最大功率耗散 36 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 ±30 V
	典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V
	每片芯片元件数目 1
	宽度 4.9mm
	最高工作温度 +150 °C
	长度 10.63mm
	正向二极管电压 1.3V
	高度 16.12mm
	最低工作温度 -55 °C

Datasheet NTPF190N65S3HF

超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高电压超级结点 (SJ) MOSFET这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能，可消除额外元件，提高系统可靠性。

TJ = 150 °C 时为 700 V
超低栅极电荷（典型 Qg = 35 nC）
低有效输出电容（典型 COSS (EFF.)=467 pF ）
低有效输出电容（典型 COSS (EFF.)=467 pF ）
优化的电容
典型值 RDS (on) =161M Ω
低温运行时系统可靠性更高
低切换损耗
低切换损耗
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用
计算
消费品
工业
最终产品
笔记本电脑/台式电脑/游戏控制台
电信/服务器
LED 照明/镇流器
适配器

单位	每单位	Per Tube*
50 - 50	RMB18.242	RMB912.10
100 - 150	RMB17.877	RMB893.85
200 +	RMB17.52	RMB876.00

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 20 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。