onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 44 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
189-0265
制造商零件编号:
NVHL080N120SC1
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

44A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

162mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

348W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

56nC

最大栅源电压 Vgs

25 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

4V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82 mm

汽车标准

AEC-Q101

碳化硅 (SiC) MOSFET,N 通道 - EliteSiC,80 mohm,1,200 V,M1,TO247−3


碳化硅 (SIC) MOSFET 采用全新的技术,与硅相比,它具有卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此,系统的优势包括最高效率、 Faster operation frequency 、增加功率密度、降低 EMI 和减小系统大小。

1200V 等级

最大 RDS (接通) = 110mΩ Ω ( Vgs = 20V 时)、 ID = 20A

高速开关和低电容

器件不含铅

应用

PFC

OBC

最终产品

用于 EV/PHEV 的汽车直流 - 直流转换器

汽车车载充电器

汽车辅助电机驱动