onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 258 A, LFPAK, 表面安装, 8引脚, NTMYS1D2N04CLTWG, NTMYS1D2N04CL系列
- RS 库存编号:
- 189-0351
- 制造商零件编号:
- NTMYS1D2N04CLTWG
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 189-0351
- 制造商零件编号:
- NTMYS1D2N04CLTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 258A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | NTMYS1D2N04CL | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 109nC | |
| 最大功耗 Pd | 134W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 258A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 NTMYS1D2N04CL | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 109nC | ||
最大功耗 Pd 134W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 4.9 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.2mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
5x6mm LFPAK 封装中的工业功率 MOSFET 、设计用于紧凑、高效的设计、包括高热性能。