onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 240 A, MO- 299A封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 189-0378
- 制造商零件编号:
- FDBL9406L-F085
- 制造商:
- onsemi
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 189-0378
- 制造商零件编号:
- FDBL9406L-F085
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 240 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | MO- 299A | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.78 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 长度 | 10.48mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 121 常闭 @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 正向二极管电压 | 1.25V | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 240 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 MO- 299A | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 1.78 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 300 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
长度 10.48mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 121 常闭 @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 9.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
正向二极管电压 1.25V | ||
高度 2.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车 N 通道逻辑电平 PowerTrench ® MOSFET ，用于汽车发动机控制、动力传动系管理、电磁阀和电动机驱动器、集成式起动器 / 交流发电机、用于 12V 系统的主开关。
典型 Qg(Tott) =121 NC ， VGS = 10V ， ID =80 A
UIS 能力
紧凑型设计的小型占用空间（收费）
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
最终产品
汽车
UIS 能力
紧凑型设计的小型占用空间（收费）
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
最终产品
汽车