onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 36 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTHL系列

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包装方式：
RS 库存编号:
189-0439P
制造商零件编号:
NTHL095N65S3HF
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

36A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247

系列

NTHL

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

272W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

66nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

15.87mm

高度

20.82mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高电压超级结点 (SJ) MOSFET这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能，可消除额外元件，提高系统可靠性。

TJ = 150 °C 时为 700 V

超低门电荷（典型值） QG =66 NC ）

低有效输出电容（典型 余弦 (EFF.)=569 pF)

极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）

优化的电容

典型值 RDS (on) =78 M Ω

优点

更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡

在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性

低切换损耗

低温运行时系统可靠性更高

应用

电信

云系统

工业

最终产品

电信电源

服务器电源

EV 充电器

太阳能/UPS

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