onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 300 A, LFPAK, 表面安装, 8引脚, NTMJS1D0N04CTWG, NTMJS1D0N04C系列
- RS 库存编号:
- 189-0506
- 制造商零件编号:
- NTMJS1D0N04CTWG
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥147.52
(不含税)
¥166.70
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | RMB29.504 | RMB147.52 |
| 750 - 1495 | RMB28.622 | RMB143.11 |
| 1500 + | RMB27.76 | RMB138.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 189-0506
- 制造商零件编号:
- NTMJS1D0N04CTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | NTMJS1D0N04C | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 920μΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 86nC | |
| 最大功耗 Pd | 166W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 300A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 NTMJS1D0N04C | ||
包装类型 LFPAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 920μΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 86nC | ||
最大功耗 Pd 166W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.2mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.9 mm | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
LFPAK-E 封装，工业标准
这些器件都是无铅的