ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 70 A, TO-247-4, 通孔安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 191-8501
- 制造商零件编号:
- SCT3030ARC14
- 制造商:
- ROHM
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- SCT3030ARC14
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 70 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-247-4 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻值 | 39 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5.6V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.7V | |
| 最大功率耗散 | 262 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 22 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 104 NC @ 18V | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 70 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-247-4 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻值 39 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5.6V | ||
最小栅阈值电压 2.7V | ||
最大功率耗散 262 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 22 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 104 NC @ 18V | ||
晶体管材料 SiC | ||
SCT3030AR 是一种沟槽栅结构 SiC MOSFET 、特别适用于服务器电源、太阳能逆变器和电动车充电站。4pin 封装将电源 Terminal 和驱动器源 Terminal 分开、从而提高了高速切换性能。
低接通电阻
快速切换速度
快速反向恢复
易于并行
易于驱动
无铅引线电镀
高效 4pin 封装
评估板 'EVK-EK-001'
应用
太阳能逆变器
直流-直流转换器
开关模式电源
感应加热
电动机驱动