Wolfspeed N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 30 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, C3M0075120J, C3M系列

可享批量折扣

小计(1 管,共 50 件)*

¥4,983.10

(不含税)

¥5,630.90

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 50 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
50 - 200RMB99.662RMB4,983.10
250 +RMB97.668RMB4,883.40

* 参考价格

RS 库存编号:
192-3373
制造商零件编号:
C3M0075120J
制造商:
Wolfspeed
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Wolfspeed

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

C3M

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

19 V

最大功耗 Pd

113.6W

正向电压 Vf

4.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48nC

最高工作温度

150°C

长度

10.23mm

标准/认证

No

宽度

9.12 mm

高度

4.57mm

汽车标准

Wolfspeed 在 SiC 技术方面的领先地位得到了扩展、在新的低电感离散封装中引入了 Advanced SiC MOSFET 技术。新推出的封装使工程师能够充分利用最新 C3MTM 平面 MOSFET 芯片的高频功能。设计人员可以通过从基于硅的三层拓扑转变为更简单的两层拓扑来减少组件数量、这是由于交换性能的提高而得以实现的。此设备具有低接通电阻和低栅极电荷、非常适合三相、无桥接 PFC 拓扑以及交流 - 交流转换器和充电器。

在整个工作温度范围内、最小值为 1200V VBR

新低阻抗封装,带驱动器源

>漏极和离子源之间有 7 毫米的渗漏 / 间隙

高速切换,具有低输出电容

高阻塞电压,具有低 RDS(接通)

快速固有二极管,具有低反向恢复(反向恢复电荷)

易于并行且易于驱动