STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=13 A, 3针, TO-263, STB系列

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RS 库存编号:
192-4649
制造商零件编号:
STB18N60M6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

STB

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

110W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.8nC

最大栅源电压 Vgs

25V

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

高度

4.37mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
新型 MDmesh M6 技术融合了著名的整合式 Mdmesh 系列 SJ MOSFET 的最新进步。STMicroelectronics 通过其全新 M6 技术构建了上一代 MDMESH 设备、该技术将出色的 RDS （接通）每个区域改进与最有效的交换行为之一结合在一起、并提供用户友好的体验、以实现最大的最终应用效率。

减少切换损耗

与上一代相比、每个区域的 RDS （接通）更低

低浇口输入电阻

提供齐纳保护

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