STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, STB系列
- RS 库存编号:
- 192-4649
- 制造商零件编号:
- STB18N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥13,177.00
(不含税)
¥14,890.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月04日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RMB13.177 | RMB13,177.00 |
| 2000 - 3000 | RMB12.914 | RMB12,914.00 |
| 4000 + | RMB12.656 | RMB12,656.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 192-4649
- 制造商零件编号:
- STB18N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | STB | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 280mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.37mm | |
| 宽度 | 9.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 STB | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 280mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.8nC | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.37mm | ||
宽度 9.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
新型 MDmesh M6 技术融合了著名的整合式 Mdmesh 系列 SJ MOSFET 的最新进步。STMicroelectronics 通过其全新 M6 技术构建了上一代 MDMESH 设备、该技术将出色的 RDS （接通）每个区域改进与最有效的交换行为之一结合在一起、并提供用户友好的体验、以实现最大的最终应用效率。
减少切换损耗
与上一代相比、每个区域的 RDS （接通）更低
低浇口输入电阻
提供齐纳保护