STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 25 A, PowerFLAT, 表面安装, 5引脚, STL45N60DM6
- RS 库存编号:
- 192-4899
- 制造商零件编号:
- STL45N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 192-4899
- 制造商零件编号:
- STL45N60DM6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 110mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 160W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 8.1 mm | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 110mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 160W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 8.1 mm | ||
高度 0.9mm | ||
长度 8.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此高电压 N 通道功率 MOSFET 是 MDMESH ™ DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDMESH 相比、 DM6 将极低的恢复电荷（ Qrr ）、恢复时间（ TRR ）和每个区域的 RDS （ ON ）的出色改进与最苛刻的高效桥接拓扑和 ZVS 相移转换器的有效切换行为相结合。
快速恢复主体二极管
与上一代相比、每个区域的 RDS （接通）更低
低栅极电荷、输入电容和电阻
极高的 dv/dt 坚固性
提供齐纳保护