STMicroelectronics , 1 N型, N型沟道 单 增强型, Vds=650 V, 25 A, TO-220, 表面, 通孔, 通孔安装, 3引脚, STP26N65DM2
- RS 库存编号:
- 192-4952
- 制造商零件编号:
- STP26N65DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- STP26N65DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 表面, 通孔, 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 190Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 160W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 表面, 通孔, 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 190Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 160W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
高度 15.75mm | ||
宽度 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 属于 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列。它具备极低的恢复电荷 (Qrr) 与恢复时间 (trr)，同时导通电阻 (RDS(on)) 也很低，因此非常适合要求苛刻的高效转换器，尤其适用于桥式拓扑和零电压开关 (ZVS) 移相转换器。
快速恢复体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
低导通电阻
极高的电压变化鲁棒性
齐纳保护