STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=300 V, 53 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, STB45N30M5, MDmesh M5系列
- RS 库存编号:
- 192-4977
- 制造商零件编号:
- STB45N30M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 192-4977
- 制造商零件编号:
- STB45N30M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 53A | |
| 最大漏源电压 Vd | 300V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | MDmesh M5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.04Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 95nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 4.37mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 53A | ||
最大漏源电压 Vd 300V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 MDmesh M5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.04Ω | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 95nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±25 V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 10.4mm | ||
高度 4.37mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此设备是一个 N 通道功率 MOSFET ，基于 MDMESH ™ M5 创新垂直工艺技术，并结合了众所周知的 PowerMESH ™水平布局。由此产生的产品具有极低的接通电阻、特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
极低 RDS （接通）
低栅极电荷和输入电容
极佳的切换性能