STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 3.5 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, STD5N60DM2, STD5N系列
- RS 库存编号:
- 193-5390
- 制造商零件编号:
- STD5N60DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 1250 + | RMB4.339 | RMB108.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 193-5390
- 制造商零件编号:
- STD5N60DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | STD5N | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.55Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.2mm | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3.5A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 STD5N | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.55Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.3nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.2mm | ||
宽度 6.2 mm | ||
长度 6.6mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此高电压 n 沟道功率 mosfet 是 mdmesh ™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它提供极低恢复电荷（ qrr ）和时间（ trr ）、结合低 rds （接通）、使其适用于最严苛的高效转换器、特别适用于桥式拓扑和 zvs 相移转换器。
快速恢复体二极管
极低栅极电荷和输入电容
低接通电阻
极高 dv/dt 能力
提供齐纳保护